晶體管的操作原理

晶體管 - 上在電子半導體運行的裝置。 它是專為電信號的轉換和放大。 有兩種類型的裝置： 一個雙極晶體管 和單極晶體管或一個字段。

如果晶體管兩種類型的載流子同時工作 - 空穴和電子，它被稱為雙極性。 如果晶體管是只有一種類型的電荷時，它是單極的。

想像一下，普通自來水的工作。 打開螺栓 - 水流量增加，他把其他的方式 - 減少或停止流動。 實際上，這是晶體管的工作原理。 只有電子的，而不是流過其中的水流。 雙極晶體管型的操作的原理的特徵在於以下事實：通過這個電子裝置是兩種電源都。 他們被分為高，或基本的和小的，或經理。 其中，控制電流影響主電源的容量。 考慮 場效應晶體管。 它的工作原理是和別人不同。 它通過僅一個電流輸出 ，其取決於環境 電磁場。

雙極型晶體管是由3層的半導體，以及，最重要的是，這兩個PN結。 這是必要的PNP和NPN轉換，因此，和晶體管之間進行區分。 這些半導體是交替的電子和空穴傳導。

雙極晶體管具有三個端子。 此基極接觸，在離開中心層，兩個電極在邊緣處 - 發射極和集電極。 與這兩個極端電極基礎層相比非常薄。 沿半導體的晶體管區的邊緣是不對稱的。 設置在所述集電極側到該設備的正確操作的半導體層必須讓一些，但是與發射器的側面相比更厚。

晶體管工作原理是基於物理過程。 讓我們與模型PNP工作。 NPN模型將工作除了這樣的基本元件如集電極和發射極之間的電壓的極性相似的。 這將是在相反的方向。

物質P型包括孔或帶正電的離子。 N型物質組成的帶負電荷的電子。 在我們的F區域的孔晶體管數量比N.電子的數量大得多

當連接這樣的部件作為發射極和晶體管工作原理集電極之間的電壓源是基於這樣的事實，所述空穴被吸引到磁極，並收集發射器的附近。 但目前並沒有去。 來自電壓源的電場不會到達集電極，因為厚的半導體發射極層和基極半導體層。
然後一個電壓源與元件，即基極和發射的不同組合連接。 現在，孔被發送到數據庫，並開始與電子交互。 基部的中心部分是飽和的有孔。 其結果是兩個電流。 大 - 從發射到集電極，小 - 從基地發射。

與數據庫中的N將更加孔，以增加基極電流的層的增加電壓，發射極電流將略微增加。 這意味著，在基極電流的微小變化引起足夠的重視放大發射極電流。 其結果是在雙極晶體管生長信號。

考慮根據操作模式晶體管的原則。 區分正常活動模式中，逆活動模式，飽和度，切斷模式。
在主動模式下，發射結被打開和關閉集電結。 在反轉模式，一切都發生相反。